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Engineering

모스펫 ; (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET). 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터

모스펫은

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이며, 

금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터라고 부릅니다.

하지만 거의 대부분이 간단하게 모스펫(MOSFET)이라고 합니다. 

 

모스펫의 경우는

사용하는 물질에 따라서 조금은 상이합니다.

 

가장 많이 사용되는 모스펫은

유전체로 Sio2와 같은 산화물을 사용하기 때문에

모스펫(MOSFET)이라고 하는 것이고,

진성반도체를 사용하게 되다면

MESFET(Metal-Semiconductor FET),

절연체를 사용하면

MISFET(Metal-Insulator Semiconductor FET)라고 합니다.

 

하지만 그중에서 산화물을 이용한

모스펫이 가장 많이 사용되고 있습니다.

모스펫 역시 TFT와 똑같은 스위칭 소자입니다. 

MOSFET=스위칭소자

 

산업군에서 보자면

TFT는 디스플레이, MOSFET는 반도체

라고 보시면 됩니다.

 

디스플레이에서는 투과율이 중요하기 때문에

유리기판을 사용하고.

MOSFET은 실리콘 기판을 사용합니다.

 

동작 원리도 TFT와 MOSFET과 거의 비슷하지만

TFT는 Active Layer에 채널이 축척층이 형성되어야만

전류의 이동이 가능하지만

MOSFET은 채널 반전 단계에서 천류의 이동이 가능합니다.

 

MOSFET 개략도

 

Gate에 전압을 인가하게 되면

gate와 p type 기판 사이에

유전분극을 일으키게 됩니다(Capacitor원리).

 

이때 gate가 특정 전압이 되면

산화막층 아래 Channel이 형성이 되어서

Source/Drain 사이에 전류가 흐를 수 있게 됩니다. 

 

그리고 그 채널이 형성되는 특정 전압을

문턱전압(Threshould Voltage)이라고 합니다.

 

보통 MOSFET에서는 P type과 N type이 구분됩니다.

그 차이는 Source/Drain의 전류 이동에 기여하는

캐리어가 전자(-)이냐 양공(+)이냐

차이에 기인합니다.

 

결국, MOSFET도 TFT처럼

Gate 전압을 조절하여

반도체를 on/off를 할 수 있는 스위칭 소자입니다.